Două diode back-to-back PN intersecţia unui Tranzistor bipolar junction. Transmite părtinire EB nod găuri injectat din regiunea emitator, CB în intersecţia părtinire inversă bariera sub efectul unui câmp electric zona de colector, forma IC curent de colector. Cele mai multe dintre colector părtinire tensiune între emiţător şi se adaugă pe revers colector părtinitoare.
Dacă tranzistorul #39; s emitator curent amplificând coeficientul β = IC/IB = 100, colector curent IC = beta * IB = 10mA. În cazul în care o bază alternativ în circuitul de părtinire de stivuire pentru IB de curent mic, apare în circuitul de colector un curent alternativ corespunzătoare IC, c/IB = beta, tranzistorul bipolar #39; s amplificarea de curent este realizat.