Tranzistor, de asemenea, menţionate ca un tranzistor bipolar junction, echivalentul a două back-to-back diode PN junction. Transmite părtinire EB nod găuri injectat din regiunea emitator, în care cele mai multe dintre limita de gaura pentru a ajunge la colector şi CB în revers nod părtinire bariera sub acţiunea câmpului electric ajunge la regiunea colector, forma IC curent de colector. În circuitul de Emitor comun tranzistor, lansează în circuitul de bază este de curse la părtinire tensiunea scădere este foarte mic.
500 ω colector este căderea de tensiune pe rezistenţa de sarcină VRC = 10mA * 500 ω = 5V, Tranzistor căderea de tensiune între colector şi Emitor pentru VCE = 5V, în cazul în care o bază alternativ în circuitul de părtinire de stivuire pentru IB de curent mic, apare în circuitul de colector un curent alternativ corespunzătoare IC, c/IB = beta, tranzistorul bipolar #39; s amplificarea de curent este realizat.
Cele mai multe dintre colector părtinire tensiune între emiţător şi se adaugă pe revers colector părtinitoare. Deoarece VBE este foarte mic, deci baza de curent este aproximativ IB = 5V / 50k ω = 0.1mA. Dacă tranzistorul #39; s emitator curent amplificând coeficientul β = IC/IB = 100, colector curent IC = beta * IB = 10mA.